创意变变变
创意变变变——激发灵感，创造不一样的生活
创意，是人类进步的源动力，也是生活中不可或缺的一部分。创意不仅存在于艺术、设计、文学等高端领域，它也渗透到我们的日常生活之中。而如何激发创意，让生活变得更加丰富多彩？这就需要我们不断地进行创新和变革。
第一篇：从日常小事中寻找创意
创意并不是一种遥不可及的东西，它可能藏在我们的生活中的某些琐碎事物里。比如，平时我们生活中经常用到的钥匙，有多少人想过将它变成一件艺术品呢？或者你，是否曾经尝试过在电脑上自己设计一款属于自己的手机壳？或者你是否想过在自己家里的每一个角落中添加一点自己的风格，在平凡的生活中增添一些色彩呢？实际上，在我们的生活中有无数的小事情可以激发我们的创意，只要我们敢于尝试，勇于创新。
第二篇：从交流中获取灵感
交流是人类社会中不可或缺的一部分，也是创意的重要来源。在和不同的人交流中，我们可以了解到不同的文化、不同的思维方式、不同的经验，这些都会为我们的创意提供灵感。另外，交流还可以帮助我们发现自己的不足，进而更加自觉地提升自己的能力。当然，在交流过程中，我们也需要不断地开放自己的心态，接受来自他人的建议和批评，这样才能更好地吸收有益的信息。
第三篇：从跨界融合中汲取创意
跨界融合是创新中的一种重要手段。在跨界融合中，我们将不同领域中的元素进行交叉、碰撞，从而创造出新的事物。比如，现在很多艺术家开始将科学元素融入到自己的作品中，这不仅展现了他们的创意，也让我们对科学有了新的认识。类似的例子还有很多，比如将音乐和舞蹈、将电影和社交网络等等，这些都是创新的重要手段。
总结
创意是一个源源不断的东西，只要我们有心，就能不断发掘并应用到生活中。从日常小事、交流、跨界融合中寻找创意，可以让我们的生活更加丰富多彩。同时，我们也需要有勇气和决心，敢于尝试、勇于创新，才能在不断变革的世界中赢得更多的机会和成功。
所以，让我们一起变变变，激发灵感，创造不一样的生活吧！
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<随心_句子c><随心_句子c><随心_句子c><随心_句子c><随心_句子c>國(guo)產(chan)90nm的(de)光(guang)刻(ke)機(ji)，能(neng)生(sheng)产幾(ji)納(na)米(mi)的芯(xin)片(pian)？答(da)案(an)或(huo)是(shi)22nm 在(zai)芯片制(zhi)造(zao)的過(guo)程(cheng)中(zhong)，其(qi)它(ta)是需(xu)要(yao)兩(liang)種(zhong)光刻机的，壹(yi)种是前(qian)道(dao)光刻机，就(jiu)是將(jiang)光掩(yan)膜(mo)板(ban)上(shang)的電(dian)路(lu)圖(tu)，記(ji)錄(lu)到(dao)塗(tu)了(le)光刻膠(jiao)的晶(jing)圓(yuan)上的光刻机，因(yin)為(wei)這(zhe)是前道工(gong)序(xu)，所(suo)以(yi)稱(cheng)之(zhi)为前道光刻机。 還(hai)有(you)一种是後(hou)道光刻机，用(yong)於(yu)芯片后期(qi)的封(feng)裝(zhuang)，在芯片制造过程中，屬(shu)于后道工序，所以叫(jiao)后道光刻机。 前道光刻机對(dui)光刻机的精(jing)度(du)要求(qiu)非(fei)常(chang)高(gao)，所以會(hui)有按(an)精度分(fen)的DUV、EUV等(deng)光刻机。而(er)后道光刻机雖(sui)然(ran)重(zhong)要，但(dan)要求不(bu)一樣(yang)，主(zhu)要是進(jin)行(xing)2.5D\3D先(xian)进封装的光刻机，所以相(xiang)对要求会低(di)一些(xie)，所以當(dang)前大(da)家(jia)更(geng)關(guan)註(zhu)的是前道光刻机。 而前道光刻机方(fang)面(mian)，自(zi)然ASML是老(lao)大，畢(bi)竟(jing)EUV光刻机，只(zhi)有ASML能夠(gou)生产，而国內(nei)自研(yan)的前道光刻机，分辨(bian)率(lv)顯(xian)示(shi)还是90nm的。 那(na)麽(me)問(wen)題(ti)就來(lai)了， 国产90nm的前道光刻机，究(jiu)竟能够生产几纳米的芯片，是不是就只能是90nm了？ 事(shi)實(shi)上並(bing)不是的，在一些晶圆廠(chang)的实際(ji)測(ce)試(shi)中，在精度方面，90nm肯(ken)定(ding)沒(mei)问题的，同(tong)時(shi)經(jing)过两次(ci)曝(pu)光，可(ke)以得(de)到45nm的芯片，三(san)次曝光最(zui)高可以達(da)到22nm左(zuo)右(you)的水(shui)平(ping)。 那么有没有可能繼(ji)續(xu)进行第(di)4次曝光，然后就实現(xian)了11nm，再(zai)进行第5次曝光，然后实现10nm以下(xia)呢(ne)？理(li)論(lun)上可以，但实际不行。 在测试中，进行到第三次曝光时，晶圆的良(liang)率已(yi)经降(jiang)低到了一個(ge)相当低的值(zhi)，甚(shen)至(zhi)有时候(hou)会低于20%了。如(ru)果(guo)进行第四(si)次曝光，估(gu)計(ji)良率会低到離(li)譜(pu)，至于第五(wu)次、第六(liu)次，根(gen)本(ben)不用想(xiang)了，良率会接(jie)近(jin)于0%。 目(mu)前像(xiang)ASML的DUV光刻机，一般(ban)最多(duo)也(ye)只进行两次曝光，很(hen)少(shao)进行多次曝光，因为会大幅(fu)度的降低良率，造成(cheng)成本上升(sheng)，这是得不償(chang)失(shi)的。 據(ju)称，目前国内正(zheng)在研發(fa)28nm精度的光刻机，那么经过2次曝光后，能够达到14nm，然后可以嘗(chang)试性(xing)的进行第三次曝光，然后有可能邁(mai)入(ru)7nm。 当然，以上只是猜(cai)测，因为精度越(yue)高的光刻机，多次曝光的難(nan)度也就越高了，一切(qie)还得看(kan)真(zhen)机的实测才(cai)行。 所以，我(wo)們(men)还是期待(dai)一下国内科(ke)技(ji)企(qi)業(ye)能早(zao)日(ri)攻(gong)克(ke)EUV光刻机的技術(shu)难點(dian)，这样才能盡(jin)早徹(che)底(di)解(jie)決(jue)芯片“卡(ka)脖(bo)子(zi)”的问题了，而不是想著(zhe)多次曝光这种取(qu)巧(qiao)的、以良率換(huan)工藝(yi)的辦(ban)法(fa)。返(fan)回(hui)搜(sou)狐(hu)，查(zha)看更多 責(ze)任(ren)編(bian)輯(ji)：