2014深圳春晚

回顾2014深圳春晚

2014年的春晚,深圳作为一个新晋春晚主办城市,举办了一场充满了地方特色与新意的春晚。这场春晚不仅展示了深圳的文化底蕴,还吸引了众多观众的目光。

文化元素的传承与创新

深圳作为一座经济特区,文化底蕴并不如传统的文化城市。但是,在这场春晚中,深圳通过充分挖掘本土文化元素,将之融入演出中,展示了深圳的独特魅力。

比如,深圳的“蛇口太平角”和“南山山脚下”的美景被巧妙地融入了演出中。此外,深圳的“雕花门”、“鱼米之乡”等元素也被充分利用。

同时,深圳春晚也具有创新性。比如,当时网络新闻爆炒的“深圳大楼旋转门砸人事件”被巧妙地融入到了小品《转不到》中,得到了观众的热烈反响。

嘉宾阵容的奢华

2014深圳春晚的嘉宾阵容也是相当奢华的。除了当时的流行歌手谭维维、华晨宇等,还有著名京剧表演艺术家梅兰芳的孙子梅峰等文艺界大咖加盟。

此外,深圳春晚还邀请了多位国际友人,比如来自斯洛文尼亚的舞蹈团体、来自马来西亚的歌手等,丰富了演出形式和内容。

舞美效果的精彩呈现

深圳春晚在舞美效果上也下了不少功夫。整个演出的背景布景以深圳市区为主题,以大楼、地铁等现代城市元素为特色,营造了浓郁的现代都市氛围。

此外,演员们的服装也是精心设计的。比如,梅峰表演时身穿扇子打扮,与京剧表演风格相符;而歌手的服装则以现代都市风格为主。

总结归纳

2014深圳春晚在传承本土文化元素的同时,也大胆创新,展示了深圳的独特魅力。嘉宾阵容奢华,舞美效果精彩呈现,让观众们过足了眼瘾。此次春晚的成功举办,不仅增强了深圳的文化自信心,还为深圳文化的发展注入了新的活力。

2014深圳春晚随机日志

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眾(zhong)所(suo)周(zhou)知(zhi),芯片都(dou)是(shi)由(you)晶体管組(zu)成的(de),晶体管越(yue)多(duo),芯片性(xing)能(neng)越強(qiang)。

而(er)每(mei)壹(yi)代(dai)工艺的進(jin)步(bu),其(qi)實(shi)最(zui)終(zhong)都是為(wei)了(le)在(zai)有(you)限(xian)的芯片面(mian)積(ji)中(zhong),塞(sai)进更(geng)多的晶体管。而所謂(wei)的XX納(na)米(mi)工艺,其实最终代表(biao)的是也(ye)晶体管與(yu)晶体管之(zhi)間(jian)的距(ju)離(li)遠(yuan)近(jin)(实際(ji)XX纳米不是指(zhi)晶体管间的距离)。

但當(dang)芯片工艺进入(ru)到(dao)3nm時(shi),要(yao)再(zai)微(wei)縮(suo)晶体管之间的距离就(jiu)越來(lai)越難(nan)了,因(yin)为太(tai)近了會(hui)有短(duan)溝(gou)道(dao)效(xiao)率(lv),導(dao)致(zhi)性能不穩(wen)定(ding),漏(lou)電(dian),功(gong)耗(hao)大,發(fa)熱(re)大等(deng)。

另(ling)外(wai)矽(gui)原(yuan)子(zi)本(ben)身(shen)也是有大小(xiao)的,不可(ke)能無(wu)限缩小,大家(jia)認(ren)为硅基(ji)芯片的極(ji)限在1nm,无法(fa)大規(gui)模(mo)量(liang)產(chan)比(bi)1nm工艺還(hai)先(xian)进的芯片。

在這(zhe)樣(yang)的情(qing)況(kuang)下(xia),如(ru)何(he)提(ti)升(sheng)芯片的性能呢(ne)?那(na)就要通(tong)過(guo)其它(ta)的辦(ban)法了,比如先进的封(feng)裝(zhuang)技术,比如將(jiang)晶体管的平(ping)面排(pai)列(lie),变成上(shang)下排列,類(lei)似(si)於(yu)NAND閃(shan)存(cun)的128層(ceng)、232层堆(dui)疊(die)一样,这样提升晶体管的密度,從(cong)而提升性能。

而近日(ri),复旦大学研(yan)究(jiu)團(tuan)隊(dui)公(gong)布(bu)了一項(xiang)新技术,这種(zhong)新技术,可以(yi)在芯片工艺不变的情况下,讓(rang)器(qi)件(jian)集成密度翻倍。

研究人(ren)員(yuan)創(chuang)新地(di)設(she)計(ji)出(chu)了一种晶圓(yuan)級(ji)硅基二(er)維(wei)互(hu)補(bu)叠层晶体管,可以在相(xiang)同(tong)的工艺節(jie)點(dian)下,实現(xian)器件集成密度翻倍,从而獲(huo)得(de)卓(zhuo)越的电学性能。

簡(jian)單(dan)的来講(jiang),将这项技术應(ying)用(yong)于芯片上,可以让芯片內(nei)部(bu)晶体管密度翻倍,从而实现性能提升。

如上圖(tu)所示(shi),臺(tai)积电的10nm工艺时,晶体管密度是0.53億(yi)個(ge)每平方(fang)毫(hao)米,而7nm时,達(da)到了0.97亿个每平方毫米,密度相当于翻倍。

但如果(guo)用上这种技术,就算(suan)是台积电10nm工艺的芯片,其晶体管密度也相当于7nm,相当于7nm的芯片了。

我(wo)們(men)还可以說(shuo)得更直(zhi)白(bai)一点,目(mu)前(qian)中芯还是14nm工艺,其晶体管密度大約(yue)是0.3亿个每平方毫米,如果使(shi)用上这项技术,則(ze)能达到0.6亿个每平方毫米。

达到这个密度後(hou),就相当于三(san)星(xing)8nm左(zuo)右(you)的水(shui)平,比7nm落(luo)后一点,但比10nm强一点,是不是很(hen)厲(li)害(hai)?

如果本身是10nm工艺,通过这一技术后,能达到7nm/6nm的水平了,这就可以繞(rao)过绕过 EUV 工艺,直接(jie)进入10nm以下了。

目前相關(guan)成果已(yi)經(jing)发表于《自(zi)然(ran) — 电子学》雜(za)誌(zhi)上,大家感(gan)興(xing)趣(qu)可以去(qu)看(kan)一看,同时希(xi)望(wang)这项技术,趕(gan)緊(jin)应用起(qi)来,那麽(me)中國(guo)芯又(you)多了一條(tiao)突(tu)圍(wei)的路(lu)徑(jing)了。返(fan)回(hui)搜(sou)狐(hu),查(zha)看更多

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