MOSFET技术的发展介绍

MOSFET技术的发展介绍

芯片赛道上的比拼尤为激烈，现在各家芯片巨头公司都在试图抢先突破3nm技术，就目前的消息来看，三星应该是以领先量产的优势赢得了这场3nm的比赛。

在半导体制造中，3纳米工艺是继5纳米MOSFET技术节点之后的下一个芯片缩小。截至2019年，三星和台积电已宣布计划将3 nm半导体节点投入商业生产。

MOSFET技术最早是在1985年出现的。

1985年，日本电报电话公司（NTT）的研究小组制造了一种MOSFET（NMOS）器件，其沟道长度为150 nm，栅氧化层厚度为2.5 nm。

1998年，美国超微（AMD）研究团队制造了MOSFET（NMOS）器件，其沟道长度为50 nm，氧化物厚度为1.3 nm。

2003年，NEC的一个研究小组使用PMOS和NMOS工艺制造了第一批沟道长度为3 nm的MOSFET。

2006年，韩国科学技术高等研究院（KAIST）和国家纳米晶圆中心的团队开发了一种3纳米宽度的多栅极MOSFET，这是世界上最小的纳米电子器件，基于栅极-全方位（GAAFET）技术。

现在的三星电子称，其3nm制程正在使用MBCFET（Multi-Bridge-Channel，多桥通道晶体管）技术，这是基于GAA晶体管结构的一种技术。

该技术通过降低供应电源水平，提升了芯片电流和功率，首次突破了FinFET晶体管（Fin Field-Effect Transistor，鳍式场效应晶体管）的性能限制。

就在近日，三星电子官宣，已开始量产基于GAA晶体管（Gate-All-Around FET，全环绕栅极）结构的3nm芯片。

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